G-25X型高精密光刻機(jī)
產(chǎn)品介紹:
設(shè)備概述:
本設(shè)備是我公司專門針對各大專院校及科研單位對光刻機(jī)的使用特性研發(fā)的一種高精密光刻機(jī),它 主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。
主要功能特點(diǎn)
主要技術(shù)指標(biāo)
1. 設(shè)備能真空吸附5"×5"方形掩板,對版的厚度無特殊要求(1~3mm皆可)。
2. 設(shè)備能適用于Φ100mm圓形基片(或100×100mm方形基片),基片厚度≤5mm,當(dāng)您的基片厚度≤1mm時(shí),我公司為本機(jī)配置標(biāo)準(zhǔn)承片臺(不另計(jì)費(fèi)),當(dāng)基片厚度>1mm時(shí),設(shè)備需配置專用承片臺(訂貨時(shí)用戶須說明,費(fèi)用另議)。
3. 照明:
光源:采用GCQ350Z型**壓水銀直流汞燈。
照明范圍:≤ф117mm曝光面積:Φ100mm在Φ100mm范圍內(nèi),曝光不均勻性≤±3%,曝光強(qiáng)度:≥5mw/ cm2(此指標(biāo)用紫外光源I線365nm測量)。
4. 本設(shè)備采用進(jìn)口時(shí)間繼電器控制氣動(dòng)快門,動(dòng)作準(zhǔn)確、可靠。
5. 本機(jī)為接觸式曝光機(jī),但可實(shí)現(xiàn):
a. 硬接觸曝光:用管道真空來獲得高真空接觸,真空≤-0.05MPa。
b. 軟接觸曝光:接觸壓力可將真空降到-0.02MPa ~ -0.05MPa之間。
c. 微力接觸曝光:小于軟接觸,真空≥-0.02MPa。
6. 曝光分辯率:本設(shè)備硬接觸曝光的分辨度可達(dá)1μm以上。
7. 對準(zhǔn):觀察系統(tǒng)為兩個(gè)單筒顯微鏡上裝二個(gè)CCD攝像頭,通過視屏線連接到顯視屏上。
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