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大口徑磁控濺射鍍膜機

型號 :ZCL-700 一、真空室:1. 形式:雙腔室結(jié)構(gòu),中間配置閘板閥。A、濺射室:700(寬)x700(深)x600mm(高),后開門。配置3個 C…

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型號 :ZCL-700

一、真空室:

1. 形式:雙腔室結(jié)構(gòu),中間配置閘板閥。

 A、濺射室:700(寬)x700(深)x600mm(高),后開門。配置3個 CF35法蘭,軸心指向工作臺,用于觀測,觀測路徑上不得有阻擋;另設(shè)置φ100mm觀測窗一個。

B、進料室:500(寬)x500(深)x600mm(高),前開門。配置射頻離子源(清洗)和傳送機構(gòu),支持Φ250mm×20mm(高),重量≥2kg樣品的送入。

C、閘板閥:500x400mm.送料機構(gòu)傳送。

2. 室體材料304不銹耐酸鋼,內(nèi)壁不銹鋼拋光,外壁噴丸處理。

3. 含2套腔體防污板 (304材料)。

4. 樣片在上,磁控靶在上

5. 冷卻管道采用304不銹鋼管。

6. 主機與電控柜連接之電纜,應(yīng)裝入線槽,且從上方通過。

7. 所有供水管均采用塑料高壓氣管,進、出水塑料高壓氣管采用兩種不同顏色顯示。

8. 控電柜采用縱柜形式。


二、真空系統(tǒng):

1.進料室:A.極限真空 ≤1.0x10-3pa,恢復(fù)真空: 大氣→9×10-1Pa ≤30min。

B.真空泵配置:250分子泵 + GSD120B干泵一臺

C.送樣系統(tǒng) 采用load-lock室送樣系統(tǒng),支持Φ250mm×20mm(高),重量≥2kg樣品的送入。

2.濺射室:A.極限真空 ≤5.0x10-5pa,恢復(fù)真空: 大氣→1.0×10-4Pa ≤40min

B.升壓率:≤5.0pa@12hours

C.真空泵配置:GSD120B干泵一臺(低噪音)+ 400分子泵一臺

D.濺射真空室抽氣速率45min內(nèi)真空度≤1×10-4Pa 

E.濺射真空室升壓率 ≤5.0Pa@12hours

3. 真空系統(tǒng)測量:自動真空壓強控制儀;觀察窗口徑≥Φ80mm

4. 真空系統(tǒng)操作:自動/手動(PLC控制)

三、加熱控溫系統(tǒng):

  1.管狀加熱器加熱紅外輻射加熱,功率6Kw。

2.加熱控制溫度范圍:室溫~300℃,分辨率0.1℃,控溫精度:≤±2℃。

3.數(shù)字PID自動控溫系統(tǒng),溫度可控可調(diào)(測量位置:被鍍基片附近);非接觸工件直接測溫,熱電偶控溫。

四、工作臺(基片臺)

1.正置工作臺1個,共聚焦濺射。工作臺旋轉(zhuǎn),3-30rpm無級變速,速度連續(xù)可調(diào)。

工作模式

全自動濺射:調(diào)取預(yù)存設(shè)置參數(shù),濺射全程無需干預(yù),支持999層膜層參數(shù)設(shè)置。

半自動濺射:可單獨設(shè)置全部控制參數(shù),并執(zhí)行濺射程序,中途可以中斷并修改參數(shù)并重新濺射。

手動濺射:點動控制各硬件模塊,進行濺射。

2.工件旋轉(zhuǎn):自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~30rpm;可放置φ250mm樣品一件。

3.濺射膜厚均勻區(qū):不均勻性小于±5%@1μm,區(qū)域直徑≥200mm。

4. 濺射膜厚重復(fù)性:≥95%

5.加熱控溫系統(tǒng)采用電阻絲加熱;紅外輻射加熱,非接觸工件直接測溫,熱電偶控溫;加熱控制溫度范圍:室溫~300℃,分辨率0.1℃,控溫精度:≤±2℃。

6.工作臺高度可調(diào),以滿足靶基距離調(diào)整要求。

五、磁控濺射靶及電源(直徑6英吋磁控靶,濺射靶數(shù)量3個,角度可調(diào)):

.直流濺射電源(3件):3KW(恒流控制);射頻電源2件,1.5Kw。

2.濺射方式:由上往下濺射;靶基間距80-300mm可調(diào),調(diào)節(jié)量可控,分辨率≤±1mm。

3.濺射材料:A.金屬:Au、Pt、Ti、Cr、Ni、W、Fe、Cu、Ag、Al、NiCr、NiSi

B.非金屬:AlN、SiO2、Al2O3

4.每件靶上面有氣動擋板,擋板可旋轉(zhuǎn)。

5.濺射模式 直流濺射/射頻濺射

6.功率 直流濺射功率≥1000W;射頻濺射功率>600W。

7.有效區(qū)域 ≥Φ250mm

8.濺射膜厚均勻性 不均勻性小于±5%@1μm 區(qū)域直徑≥200mm。

9.濺射膜厚重復(fù)性 ≥95%

10.靶電極和冷卻水管須套在不銹鋼管內(nèi);

11.磁控濺射靶的冷卻水做到只要鍍膜開機抽真空,其冷卻水就暢通;

12.直流、射頻磁控電源能方便切換到需要工作的磁控濺射靶上,預(yù)濺射

正式濺射的時間能直觀地顯示在觸摸屏上。

六、壓力控制系統(tǒng):

.自動壓強控制儀:控制范圍5×10-2Pa(0.1Pa)~10 Pa可調(diào),穩(wěn)定控制精度±0.1Pa

2.氣路控制3路工藝氣體進氣,1路N2,1路Ar,1路O2,質(zhì)量流量計控制氣體流量。

3.充氣系統(tǒng):配3只日本山武質(zhì)量流量計。

4.氣路:全金屬管路,采用內(nèi)壁拋光不銹鋼管。

七、清洗系統(tǒng):

Load-lock室配置IBD-RISE-12-HO射頻離子源,可對樣品進行射頻清洗。

八、計算機全自動控制系統(tǒng):

1.控制方式:17”一體式工控機電腦 + 工業(yè)控制PLC模塊。

2.性能:

1)可靠性:..的故障反饋及誤操作互鎖保護功能,具備各系統(tǒng)的自診斷功能:設(shè)備一旦出現(xiàn)故障,自動存儲故障記錄,發(fā)出聲光報警,等待操作人員檢查處理;                             

2)自動化:可以實現(xiàn)從排氣到濺射完成的一鍵控制,控制較為靈活。

3)用戶可自行編寫濺射程序,并由此濺射機自動實施。

3.濺射數(shù)據(jù)管理:

1)參數(shù)包括但不限以下:膜層的濺射氣壓、功率(電壓、電流)、時間、溫度、基片臺轉(zhuǎn)速等

2)真空度數(shù)據(jù)保存及曲線顯示;

4.工作模式:

1)全自動濺射:調(diào)取預(yù)存設(shè)置參數(shù),濺射全程無需干預(yù),支持999層膜層參數(shù)設(shè)置。

2)半自動濺射:可單獨設(shè)置全部控制參數(shù),并執(zhí)行濺射程序,中途可以中斷并修改參數(shù)并重新濺射。

3)手動濺射:點動控制各硬件模塊,進行濺射。

每層膜層的濺射氣壓曲線、功率(電壓、電流)曲線、時間、溫度曲線、基片臺轉(zhuǎn)速等參數(shù)并以數(shù)據(jù)表和圖片的形式導(dǎo)出,且界面美觀。

4.濺射過程自動化,自動控制的主要內(nèi)容:

1)具備..的故障反饋及誤操作互鎖保護功能以及各系統(tǒng)自診斷功能;

2)真空系統(tǒng)抽、排氣可編程設(shè)置,由工控電腦自動控制完成;

3)工件盤轉(zhuǎn)動的高,低速旋轉(zhuǎn)可編程設(shè)置;

4)氣體管路閥門及進氣量可編程設(shè)置;由工控電腦自動控制壓控儀完成;

5)各個泵閥的控制由PLC來自動完成;

6)膜厚控制采用時間功率方式進行,可顯示濺射時間及功率;

5.控制特點:

1)人機界面為中文觸摸形式,可由觸摸屏或鍵盤和鼠標進行對話;

2)參數(shù)設(shè)置功能:時間、功率及相關(guān)參數(shù);

3)可通過編程進行參數(shù)設(shè)置,也可在電腦屏幕上直接輸入;

4)具有..的數(shù)據(jù)信息自動存儲功能,記錄文件可方便的輸出;

5)記錄文件格式可轉(zhuǎn)換為Excell格式

6)整個工作過程自動儲存。

7)保護功能具備自鎖、互鎖安全保護措施

九、安裝要求:

1.環(huán)境溫度:10~35℃;

2.相對濕度:不大于80%;

3.設(shè)備周圍環(huán)境整潔,空氣清潔,不應(yīng)有可引起電器及其他金屬表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?;驓怏w存在。

十一、設(shè)備動力要求:

1.水源: 自來水循環(huán),水壓0.2~0.3Mpa,水量~60L/min,進水溫度≤20℃~25℃;

2.氣源:氣壓0.6Mpa;

3.電源:三相五線制220V/380V,50Hz,電壓波動范圍:三相342~399V,單相198~231V;頻率波動范圍:49~51Hz;設(shè)備功率:~20KW;接地電阻4Ω;

十一、設(shè)備總尺寸:<2.5m(長) x 1.5m(寬) x 2.0(高)

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