G-31B6型高精密光刻機

產(chǎn)品介紹：

設備概述

本設備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

主要構成

本設備為板板對準雙面曝光

主要由雙目視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、二臺高均勻性**壓汞燈曝光頭、PLC電控系統(tǒng)、高精度對準工作臺、Z軸升降機構、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵、二級防震工作臺等組成。

曝光頭部件圖

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對準工作臺

主要功能特點

1.適用范圍廣
適用于φ160mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光，雙面可同時曝光，亦可用于單面曝光。

2.結構**
Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防粘片機構。

3.操作簡便
X\Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式；
吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調試、維護、修理都非常簡便。

 4. 可靠性高
采用進口（日本產(chǎn)）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和

精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。
5. 特設功能
除標準承片臺外，還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面

不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術指標

1、工作臺行程(X向、Y向/Z向/θ向）：±5mm/10mm/±5°；

2、適用基片尺寸: ≤6英寸；

3、掩模版尺寸：≤ 7″（175×175 mm）；

4、對準精度（正面對準/背面對準）:±2um/±3um；

5、放大倍率:51×～570×(ccd連續(xù))；

6、曝光光源:UV365，500W**壓汞燈；

7、曝光面積:φ160mm；

8、曝光分辨率:2 um（膠厚≤1 um，正膠、真空接觸）；

9、光強 :≥ 5mW/cm2；

10、曝光不均勻性:±5%；

11、曝光時間:0～999.9s；