G-31B4型高精密光刻機

產(chǎn)品介紹：

設(shè)備概述

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

主要構(gòu)成

本設(shè)備為板板對準雙面曝光

主要由雙目視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、二臺高均勻性曝光頭、PLC電控系統(tǒng)、高精度對準工作臺、Z軸升降機構(gòu)、真空管路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、直聯(lián)式真空泵、二級防震工作臺等組成。

曝光頭部件圖

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對準工作臺

主要功能特點

1.適用范圍廣
適用于φ100mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光，雙面可同時曝光，亦可用于單面曝光。

2.結(jié)構(gòu)**
Z軸采用滾珠直進式導(dǎo)軌和可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構(gòu)，真空吸版，防粘片機構(gòu)。

3.操作簡便
X\Y移動、Q轉(zhuǎn)、Z軸升降采用手動方式；
吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調(diào)試、維護、修理都非常簡便。

 4. 可靠性高
采用進口（日本產(chǎn)）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和

精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。
      5. 特設(shè)功能
    除標準承片臺外，還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術(shù)指標

曝光類型：版-版對準雙面曝光
曝光面積：φ100mm
曝光不均勻性：≤±3%
曝光強度：≥5mw/cm2
曝光分辨率：2μm
曝光模式：雙面同時曝光，配置2臺GCQ350W型**壓直流球形汞燈高均勻性曝光頭

對準范圍：X:±5mm Y:±5mm
套刻精度：2μm

旋轉(zhuǎn)范圍：Q向旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)≤±5°

顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，物鏡1.6X～10X，計算機圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；
掩模版尺寸：能真空吸附4"方形掩板，對版的厚度無特殊要求（1～3mm皆可）。

基片尺寸：適用于Φ3"mm圓形基片（或3"×3"mm方形基片），基片厚度≤5mm。