一、主要用途:

本設(shè)備是乙方專門針對各大專院校及科研單位對光刻機(jī)的使用特性研發(fā)的一種精密光刻機(jī)，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。

二、 主要性能指標(biāo)

1、曝光類型：單面；

2、曝光面積（有效面積）：φ310mm；

3、曝光照度均勻性：≥ 96%；

4、曝光強(qiáng)度：0～30mw/cm2可調(diào)；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：2年；

8、曝光分辨率：2μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡移動范圍：X：±50mm   Y：±100mm；

11、對準(zhǔn)范圍：X、Y±3mm；Q±3°；

12、套刻精度：2μm；

13、分離量；0～50μm可調(diào)；

14、接觸－分離漂移：≤2μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實(shí)現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點(diǎn)式自動找平； 8英寸wafer；

17、顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，顯微鏡91X～570X連續(xù)變倍（物鏡1.6X～10X連續(xù)變倍），雙物鏡距離可調(diào)范圍50mm～120mm，計算機(jī)圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；計算機(jī)圖像處理系統(tǒng)，19″以上液晶監(jiān)視器；CCD用HMDI端口；

18、掩膜板尺寸： 355.6mm×355.6mm（12英寸wafer對應(yīng)版）；228.6mm×228.6mm（8英寸wafer對應(yīng)版）；

19、基片尺寸：φ304.8mm；

20、基片厚度：12英寸厚度775±20um；8英寸厚度725±20um；

21、曝光定時：0～999.9秒可調(diào)；

22、對準(zhǔn)精度：±1μm；

23、曝光頭移動：電動；

24、電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤3KW；

25、潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；

26、真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

27、G-26D12型光刻機(jī)的組成：

由主機(jī)（含機(jī)體和工作臺），對準(zhǔn)用單筒顯微鏡，高均勻性曝光頭組成。

28、附件如下：

a.主機(jī)附件：

1)掩膜版板架，按上面第18提供。

2)真空夾持承片臺，按以上提供。

b．顯微鏡組成

1)高分辨率單筒顯微鏡二個。

2)二個CCD。

3)視頻連接線。

4)計算機(jī)和19"液晶監(jiān)視器。