成都鑫南光機(jī)械設(shè)備有限公司帶您了解四川光刻機(jī)的*新進(jìn)展。

在光刻技術(shù)和微電子設(shè)備的發(fā)展過程中，二者是共生、依存的關(guān)系，二者的發(fā)展進(jìn)步都離不開對方的演變。在上世紀(jì)**臺光刻機(jī)問世后，光刻技術(shù)一直都在以驚人的速度發(fā)展，我國的光刻技術(shù)發(fā)展成果也非常顯著，已經(jīng)可以熟練掌握2μm、1μm、0.5μm、0.25μm 等不同要求的光刻技術(shù)，并著重研發(fā)了1μm 光刻技術(shù)，且取得了較大成就。當(dāng)然，在光刻技術(shù)發(fā)展的過程中，微電子設(shè)備的發(fā)展也在不斷進(jìn)行著。**上**個(gè)半導(dǎo)體晶體管同樣誕生于上個(gè)世紀(jì)，到目前為止，半導(dǎo)體晶體管的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了半個(gè)多世紀(jì)的時(shí)間，加工尺寸越來越小。

四川光刻機(jī)在經(jīng)歷了半個(gè)世紀(jì)左右的發(fā)展后，光刻技術(shù)已經(jīng)基本成熟，其理論依據(jù)、技術(shù)能力已經(jīng)到達(dá)了一定的瓶頸。從光刻技術(shù)的發(fā)展歷程來看，隨著光刻手段的不斷更新，光刻技術(shù)能夠完成的尺寸越來越小，但是這種光刻技術(shù)的發(fā)展不會讓其能夠完成的尺寸無限小下去，根據(jù)相關(guān)科研人員和業(yè)內(nèi)人士的觀點(diǎn)，光刻技術(shù)的完成尺寸瓶頸將會是50nm，50nm 可以說是在目前的光刻原理下光刻技術(shù)所能完成的極限尺寸，小于50nm 的光刻尺寸光刻技術(shù)將很難能夠完成。也許當(dāng)光刻技術(shù)到達(dá)50nm后，由于其工作能力無法和微電子設(shè)備的發(fā)展相匹配而會滋生出新興的技術(shù)來取代光刻技術(shù)，但是為目前為止，人類的光刻技術(shù)還未能達(dá)到50nm，而且，在未來幾年之內(nèi)，人類的光刻技術(shù)也*多只能到達(dá)70nm，要達(dá)到50nm的光刻標(biāo)準(zhǔn)， ] 2[光刻技術(shù)還將經(jīng)歷一段較長的發(fā)展歷程。

據(jù)科研人員描述，70nm光刻技術(shù)已 經(jīng)具有相當(dāng)?shù)碾y度，包含了多種高科技的光刻手段，而光刻技術(shù)要想超越50nm的瓶頸，必須采用跨越式的光刻技術(shù)，這將是未來人類光刻技術(shù)發(fā)展的一大目標(biāo)

相信四川光刻機(jī)未來的發(fā)展會越來越好的。